機器分析化学
2003年度をもっていままで機器分析化学�Uを受け持っていた津田先生が退官されるので2004年度以降は別の教官の担当になる。
従ってここに掲載されている過去問はほぼ意味がなくなるでしょう。
Ｈ19年度では北川教官が講義をしています。


★機器分析化学�U　�T部　期末　津田教官　2004/2/5
過去問にほぼ同じ




★機器分析化学�U　�T部　中間　宮部教官　2003/11/27
　１．クロマトグラフィーの分離挙動の解析に用いる理論として段理論と速度論があるがそれをそれぞれ説明しなさい。

　２．オクタデシルジメチルクロルシランをシリカゲル(表面積300m²/g)上に反応させた。
　　　元素分析を行ったところ炭素の含有量は16.8wt%であった。シリカゲル上のシラノールは8μmol/m²含まれる。
　　　以下を求めよ。
　　　　�@水素の含有量
　　　　�Aこのシリカゲル1g中に含まれるオクタデシルジメチルクロルシランの量
　　　　�Bこのシリカゲル1g中で反応していないシラノール基の量
　　　　�Cオクタデシルジメチルクロルシランとシラノール基の反応率

　３．非保持物質、試料A、試料Bをクロマトグラフィー(カラム：内径4.6mm,長さ150mm)で 分析を行ったところ
　　　　　非保持物質　保持時間 1.65min
　　　　　試料A　　　 保持時間 3.63min 半値幅 0.0927min
　　　　　試料B　　　 保持時間 5.45min 半値幅 0.128min
　　　上記のようになった。カラム内の粒子の細孔率は0.456である。
　　　以下のパラメータを求めよ。
　　　　�@カラム体積　　�Aカラム空隙率　�BＡの保持係数　�CＢの保持係数
　　　　�D分離係数　　　�EＡの理論段数　�FＡの理論段高　�GＢの理論段数
　　　　�HＢの理論段高　�I分離度(必要ならば保持係数、理論段数はＢの値を用いよ。)